MRAM

MRAM jeb magnetoresistīvā brīvpiekļuves atmiņa (magnetoresistive random-access memory) ir datu bitu glabāšanas metode, izmantojot magnētiskos stāvokļus, nevis elektriskos lādiņus, ko izmanto, piemēram, DRAM.

Apvienojot SRAM lielo ātrumu un lielo DRAM blīvumu, MRAM sola ievērojami uzlabot elektroniskos produktus, glabājot lielāku datu apjomu, nodrošinot ātrāku piekļuvi datiem un patērējot mazāk enerģijas nekā esošā elektroniskā atmiņa.

Dati tiek glabāti magnētiskos elementos. Elementi ir veidoti no divām feromagnētiskām plāksnēm, no kurām katra var turēt magnetizāciju, atdalītas ar plānu izolācijas slāni. Viena no divām plāksnēm ir pastāvīgais magnēts, kas iestatīts uz noteiktu polaritāti; otras plāksnes magnetizāciju var mainīt, lai tā atbilstu ārējā lauka magnetizācijai, lai saglabātu atmiņu. Šī konfigurācija ir pazīstama kā magnētiskā tuneļa krustojums, un tā ir vienkāršākā MRAM bita struktūra. Atmiņas ierīce ir veidota no šādu "šūnu" režģa.

MRAM ir nepastāvīgas (non-volatile) atmiņas veids.